21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道

全球存储产业头部公司都正迎来行业快速发展时期。

SK海力士发布的财报显示，第二财季公司实现营收16.42万亿韩元（约合118.78亿美元），环比增长32%、同比增长125%；经营利润自2018年半导体繁荣发展以来，首次突破5万亿韩元达5.47万亿韩元（约合39.57亿美元），环比大涨89%，上年同期公司还在亏损。

存储产业一直的特征就是涨跌幅均较大。在上一轮下行周期，存储公司亏损幅度较大，此轮上行周期存储行业率先迎来复苏，会有业绩快速上涨原本在意料之内，但SK海力士的业绩则显示出，其涨势似乎已经超出了历史表现。

不止海外大厂，国内A股公司此前发布的中报业绩预告也显示，多家公司业绩都实现多倍增长。例如澜起科技预计上半年实现归母净利润5.83-6.23亿元同比增长612.73%～661.59%；江波龙预计上半年归母净利润为5.2～6.1亿元，同比增长187.26%～202.36%。

在生成式AI快速发展的浪潮推动下，存储行业后续被认为将延续火热的上涨态势。但这也是一柄双刃剑：业绩上涨可以助推存储厂商持续进行能力迭代，但也对成本敏感性终端市场带来压力，由此抑制一定需求。部分巨头披露的数据显示出，平均销售价格维度的涨价行情似乎有局部放缓趋势。

涨价放缓？

SK海力士财报显示，营收上涨的原因在于ASP（平均销售单价）上涨、高价值产品支撑。例如HBM（高带宽内存）产品的销售额同比增长250%、环比增长80%，eSSD产品销售额环比大约上涨50%，这两类都主要受益于AI相关需求支撑。

不过21世纪经济报道记者梳理近三个季度的财务数据发现，存储行业涨价态势似乎有所放缓。

根据SK海力士披露，在2023年四季度，公司DRAM（运行内存）的ASP环比以高双位数（15%-19%）百分比速度增长、NAND（闪存）的ASP涨幅超过40%。2024年一季度，DRAM单价环比上涨超过20%、NAND单价环比上涨超过30%。到了第二季度，DRAM单价环比上涨中双位数百分比（15%左右）、NAND单价环比涨幅中高双位数百分比（15%-19%）。

（SK海力士主要财务数据和销售单价趋势）

美光财报显示，NAND方面，最近三个季度的ASP环比分别增长20%、30%、20%；DARM方面，最近三个季度的ASP环比分别增长20%、高双位数（high teens，约15%-19%）百分比、低个位数（low-single，约少于5%）百分比。

这两家巨头都位于存储产业链上游，是存储模组和产品的原料供应商，其价格涨幅放缓，背后与具体市场的需求表现有所差异有关。

第三方机构闪存市场指出，原厂策略可能出现分化，对于部分服务器市场份额不足的原厂，二季度以来出货压力较大，可能愿以利润换取更多手机市场的份额，那么嵌入式NAND的价格上涨将更为艰难，令三季度服务器及手机市场的存储价差进一步扩大，原厂以优先保障服务器eSSD供应为主。

而终端上半年已对LPDDR4X进行大量备货，目前终端LPDDR4X库存较NAND更为充足，且部分原厂产能快速增长，市场或有供过于求的风险，预计LPDDR4X价格难以上涨，多以持平为主。而DDR5和HBM需求旺盛，原厂将部分LPDDR5X产能调整至服务器市场，LPDDR5X价格仍会有小幅上涨。

展望后市，针对不同终端市场来看，SK海力士认为，PC市场的需求复苏情况弱于此前预期，不过进入下半年，AI PC市场将驱动高内存、低功耗存储产品应用落地。手机市场在上半年需求已经有所恢复，下半年将受益于AI旗舰或折叠屏手机需求支撑。该公司预计2024年下半年至2025年，AI手机陆续发布将成为存储需求驱动力，其相比现有高端手机产品，会有更高的内存需求。

更大增长动力可能来自于AI服务器。SK海力士认为，Gen AI趋势下，大型科技公司正持续加大AI相关资本支出。同时，通用型服务器需求随着数据中心服务器更换周期的逐步改善而增加，投资者也在采用新能源和成本效益高的平台。

闪存市场指出，下半年存储行情增长相较上半年已经明显收窄，也意味着下游存储厂商下半年面临的挑战加大。一方面，原厂NAND 晶圆供应持续紧张，低价库存逐渐减少，另一方面，需求面尚未感受到显著复苏。存储厂商们将如何化解供应与需求的矛盾值得关注。

HBM驱动

AI需求驱动下，生成式AI更加推动了HBM（高带宽内存）产品的迅速发展，这也是推动DRAM类产品线在存储公司中率先扭亏，并持续拉动业绩的核心动力之一。

目前掌握HBM核心技术的厂商主要为SK海力士、三星和美光，前两家厂商的份额远超第三家。这也是头部厂商现阶段竞相争夺的一大核心市场。

根据SK海力士披露，旗下HBM3E产品销量从第二季度开始显著增加，预计从三季度开始，HBM3E bit出货量将在三季度超过HBM3，并在2024年将占HBM总销量的50%以上。

天风证券指出，目前市场上最新HBM3E，即第5代HBM，正搭载在英伟达的产品中。随着AI相关需求的增加，第六代高带宽存储器HBM4最早将于2026年开始量产。预计在2024年，HBM2、HBM2e和HBM3e的市场份额会发生较明显改变。2023上半年主流还是HBM2e，但因为H100的问世，下半年HBM3就成为市场主流，很快2024年就会进行到HBM3e，因为它堆叠的层数更高，所以平均单价一定要比现在再高20%～30%以上，其对产值的贡献会更明显。

后续，存储巨头将继续加码对HBM的投资。SK海力士指出，目前M15X晶圆厂和龙仁工厂的建设还在按计划进行，基础设施投资将不断增加以支持HBM的消耗需求。

根据TrendForce集邦咨询预计，DRAM营收增长的驱动因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。

考虑到当前主要消费级市场的需求仍在逐步恢复过程中，HBM的需求将成为后续支撑存储厂商业绩的核心动力之一。

集邦咨询认为，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。

到2025年，预计产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。